優(yōu)于閃存 富士通2Mbit FeRAM芯片量產(chǎn)

富士通近日宣布了2 Mbit Ferroelectric RAM (鐵電隨機存儲器，簡(jiǎn)稱(chēng)FRAM或FeRAM)內存芯片的問(wèn)世。該產(chǎn)品的電氣特性和之前該公司的1 Mbit FeRAM一樣，也采用相同的TSOP-48封裝，但容量提高到原來(lái)的兩倍。

FeRAM是一種非易失性?xún)却?，利用一種鐵電薄膜來(lái)存儲數據，寫(xiě)入速度比閃存更快，而功率則更低，寫(xiě)入次數更多。

富士通表示FeRAM可以用于智能電表、辦公設備存儲事件計數，或者存儲每個(gè)事件的不同參數及日志，而不必考慮寫(xiě)入次數問(wèn)題。FeRAM允許100億次讀寫(xiě)周期，相當于每秒寫(xiě)入30次持續10年。另外，FeRAM無(wú)需電池就可以將數據保存10年以上。

FeRAM另一個(gè)理想的應用是車(chē)輛導航系統、多功能打印機、測量?jì)x器等等非易失性?xún)却嬗糜诖鎯Ω鞣N參數、記錄設備操作環(huán)境或者安全信息的領(lǐng)域。